IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET, 80 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 146-4406
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-334
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH80N25X3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB371.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB397.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 24 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB371.12 |
| 8 - 14 | THB361.83 |
| 15 + | THB356.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-4406
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-334
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH80N25X3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | HiperFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 83nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 390W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.45mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Length | 16.24mm | |
| Distrelec Product Id | 30253334 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series HiperFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 83nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 390W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.45mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Length 16.24mm | ||
Distrelec Product Id 30253334 | ||
Automotive Standard No | ||
Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg
Fast soft recovery body diode dv/dt ruggedness
Superior avalanche capability
International standard packages
Battery chargers for light electric vehicles
Synchronous rectification in switching power supplies
Motor control
DC-DC converters
Uninterruptible power supplies
Electric forklifts
Class-D audio amplifiers
Telecom systems
High efficiency
High power density
Improved system reliability
Easy to design in
200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv core
Dual Panel Flash for live update support
12-bit, 18 MSPS, 45-channel ADC module
Memory Management Unit for optimum embedded OS execution
microMIPS mode for up to 35% code compression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI & Analog Comparators
SPI/I2S interfaces for audio processing and playback
Hi-Speed USB Device/Host/OTG
10/100 Mbps Ethernet MAC with MII and RMII Interface
Advanced Memory Protection
2MB Flash memory (plus an additional 160 KB of Boot Flash)
640KB SRAM memory
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N25X3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin TO-220 IXFP80N25X3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA80N25X3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2
