Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 150 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1405ZPBF
- RS Stock No.:
- 145-8878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1405ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB171.50
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,944.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,221.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | THB78.898 | THB3,944.90 | - |
| 100 - 150 | THB77.183 | THB3,859.15 | THB171.50 |
| 200 + | THB75.467 | THB3,773.35 | THB686.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1405ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 16.51mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 16.51mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1405ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8743PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6620TRPBF
- Vishay SUP60020E N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60020E-GE3
- Infineon CoolSiC Trench MOSFET N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyDUAL FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin DirectFET AUIRF7675M2TR
