Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 145-8839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4615TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB27,390.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,308.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB34.238	THB27,390.40
1600 - 2400	THB33.211	THB26,568.80
3200 +	THB32.215	THB25,772.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-8839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4615TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 33A Maximum Continuous Drain Current - IRFS4615TRLPBF

This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement-mode transistor designed for power switching in surface-mounted assemblies. It operates across a wide temperature range and is suitable for demanding thermal environments while providing controlled gate-driven switching for medium- to high-current applications.

Features and Benefits:

• 150V drain-source withstand enables high-voltage switching capability
• 33A continuous drain current supports substantial load currents
• 42 mΩ RDS(on) minimises conduction losses under heavy load
• 26 nC typical gate charge allows predictable drive requirements
• 144W maximum power dissipation handles elevated power levels
• 20V gate-source limit protects against excessive gate stress

Applications

• Suitable for DC-DC converters in industrial power supplies
• Ideal for motor-drive stages requiring high current
• Used with battery-management systems needing high-voltage switching
• Can be used for synchronous rectification in power conversion
• Suitable for high-temperature power modules in harsh environments

What thermal limits govern long-term operation?

The device is specified to function from -55 °C up to 175 °C, enabling use in high-temperature systems where elevated junction temperatures are expected.

What package and mounting style does it require?

It is supplied in a TO-263 package intended for surface-mount assembly on appropriate copper-area land patterns for heat dissipation.

How does the gate charge affect driver selection?

With a typical total gate charge of 26 nC, designers should select drivers capable of delivering the required charge within the target switching timeframe to limit transition losses.

What voltage constraints apply to the gate and drain?

The maximum permissible gate-to-source voltage is 20V while the drain-to-source voltage rating is 150V, defining safe operating boundaries for gate drive and load transients.