Vishay SUP90220E N-Channel MOSFET, 64 A, 200 V Enhancement, 4-Pin TO-220 SUP90220E-GE3
- RS Stock No.:
- 134-9707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP90220E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 30 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB143.25
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB239.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB255.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 ธันวาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 28 | THB119.51 | THB239.02 | - |
| 30 - 58 | THB114.735 | THB229.47 | THB143.25 |
| 60 - 118 | THB109.96 | THB219.92 | THB573.00 |
| 120 + | THB107.57 | THB215.14 | THB1,432.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 134-9707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP90220E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SUP90220E | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.51mm | |
| Height | 15.49mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SUP90220E | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.51mm | ||
Height 15.49mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUM90220E N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90220E-GE3
- Vishay SF Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL050N65SF-GE3
- Infineon IMZA65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon IPZ N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IPZA60R037CM8XKSA1
- Vishay SF Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG050N65SF-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA18BDP-T1-GE3
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI3205PBF
