N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA88DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 134-9696
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA88DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA88DP-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)

THB14.364

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15.369

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สามารถสั่งจองล่วงหน้าได้*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 - 725	THB14.364	THB359.10
750 - 1475	THB14.005	THB350.125
1500 +	THB13.789	THB344.725

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 134-9696
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA88DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	45.5 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	10 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	25 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	+20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	5.26mm
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	16.8 nC @ 10 V
Length	6.25mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm
Forward Diode Voltage	1.1V

N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA88DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง