Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 246 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7730TRLPBF
- RS Stock No.:
- 130-1007
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7730TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB330.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB353.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 54 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 198 | THB165.28 | THB330.56 | - |
| 200 - 398 | THB161.13 | THB322.26 | 2% |
| 400 + | THB158.65 | THB317.30 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-1007
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7730TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 246A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 271nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 246A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 271nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7730TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7734TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1407STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3808STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
