Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK7A60W5,S5VX(M
- RS Stock No.:
- 125-0592P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK7A60W5,S5VX(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,754.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,877.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB35.092 |
| 100 - 240 | THB32.848 |
| 250 - 490 | THB30.934 |
| 500 + | THB29.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-0592P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK7A60W5,S5VX(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Package Type | TO-220SIS | |
| Series | DTMOSIV | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 650 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Maximum Power Dissipation | 30 W | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Length | 10mm | |
| Width | 4.5mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Height | 15mm | |
| Forward Diode Voltage | 1.7V | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 7 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 600 V | ||
Package Type TO-220SIS | ||
Series DTMOSIV | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 650 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 3V | ||
Maximum Power Dissipation 30 W | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 16 nC @ 10 V | ||
Length 10mm | ||
Width 4.5mm | ||
Transistor Material Si | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Height 15mm | ||
Forward Diode Voltage 1.7V | ||
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba