Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-3P TK20J60W5,S1VQ(O
- RS Stock No.:
- 125-0550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK20J60W5,S1VQ(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB446.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB477.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB223.05 | THB446.10 |
| 10 - 18 | THB217.47 | THB434.94 |
| 20 - 48 | THB212.03 | THB424.06 |
| 50 - 98 | THB206.735 | THB413.47 |
| 100 + | THB201.565 | THB403.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-0550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK20J60W5,S1VQ(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-3P | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 175mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 165W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-3P | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 165W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VF(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementVQ(O