Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin IPAK TK10Q60W,S1VQ(S

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB1,387.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,484.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
50 - 90THB27.75
100 - 240THB25.996
250 - 490THB24.476
500 +THB23.158

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
125-0533P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TK10Q60W,S1VQ(S
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

430 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

80 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2.3mm

Length

6.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

7.12mm


MOSFET Transistors, Toshiba