Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSZ100N06LS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 124-9038
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ100N06LS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB78,045.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB83,510.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB15.609 | THB78,045.00 | - |
| 10000 - 15000 | THB15.14 | THB75,700.00 | 3% |
| 20000 + | THB14.686 | THB73,430.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-9038
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ100N06LS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Width 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSZ100N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ067N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ110N06NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC067N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC100N06LS3GATMA1
