Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06LS3GATMA1

RS Stock No.:: 754-5241
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06LS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06LS3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,487.50

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB222.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB237.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,332 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
2 - 1248	THB111.10	THB222.20	-
1250 - 2498	THB108.31	THB216.62	THB3,487.50
2500 +	THB106.64	THB213.28	THB11,150.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 754-5241
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06LS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	132nC
	Maximum Power Dissipation Pd	139W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Width	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 132nC
	Maximum Power Dissipation Pd 139W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Width 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06LS3GATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง