Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

RS Stock No.:: 165-6576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ110N06NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB60,470.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB64,705.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB12.094	THB60,470.00
10000 - 15000	THB11.731	THB58,655.00
20000 +	THB11.379	THB56,895.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ110N06NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS 3
	Package Type	TSDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Height	1mm
	Width	3.4 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS 3
	Package Type TSDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Height 1mm
	Width 3.4 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง