ROHM UM6K33N Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 UM6K33NTN
- RS Stock No.:
- 124-6895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UM6K33NTN
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 40 ชิ้น)*
THB322.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB345.12
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 280 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 40 - 160 | THB8.064 | THB322.56 |
| 200 - 360 | THB7.502 | THB300.08 |
| 400 - 960 | THB6.801 | THB272.04 |
| 1000 - 1960 | THB6.219 | THB248.76 |
| 2000 + | THB5.729 | THB229.16 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-6895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UM6K33NTN
- ผู้ผลิต:
- ROHM
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA | |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V | |
| Series | UM6K33N | |
| Package Type | SOT-363 (SC-88) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.2 Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V | |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW | |
| Transistor Configuration | Dual Base | |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 1.35mm | |
| Length | 2.1mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Height | 0.9mm | |
| Forward Diode Voltage | 1.2V | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 200 mA | ||
Maximum Drain Source Voltage 50 V | ||
Series UM6K33N | ||
Package Type SOT-363 (SC-88) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance 7.2 Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 1V | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 0.3V | ||
Maximum Power Dissipation 150 mW | ||
Transistor Configuration Dual Base | ||
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 1.35mm | ||
Length 2.1mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Height 0.9mm | ||
Forward Diode Voltage 1.2V | ||
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi UMZ1NT1G Dual NPN/PNP Digital Transistor 50 V, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex NPN DDC(xxxx)U 2 Type N-Channel MOSFET 50 V, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex NPN DDC(xxxx)U 2 Type N-Channel MOSFET 50 V, 6-Pin SOT-363 DDC143ZU-7-F
- DiodesZetex Dual DMN53D0LDWQ 1 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN53D0LDWQ 1 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-363 DMN53D0LDWQ-7
- onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin SOT-363 FDG8850NZ
- onsemi Dual N/P-Channel MOSFET 700 mA 6-Pin SOT-363 FDG6332C
- ROHM RUC Type N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23
