onsemi FDN N-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 FDN5630
- RS Stock No.:
- 838-618
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN5630
- ผู้ผลิต:
- onsemi
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (25 ชิ้น, ในเทปขนาด 25)*
THB205.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | THB8.221 | THB205.53 |
| 250 - 1225 | THB6.668 | THB166.70 |
| 1250 - 2475 | THB5.094 | THB127.35 |
| 2500 + | THB4.001 | THB100.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 838-618
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN5630
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | FDN | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Height | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series FDN | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.9mm | ||
Width 1.4mm | ||
Height 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The onsemi N-Channel MOSFET primarily is designed to enhance the efficiency of dc-dc converters using switching PWM controllers.
Optimised for high-frequency applications, ensuring better performance
Features low R DS(on) values, enhancing efficiency within Compact designs
Incorporates fast switching capabilities for improved operational speeds
Available in a Pb-Free and Halogen Free package for environmental compliance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS355 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS355 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS355AN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN335N
- onsemi FDN P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 FDN340P
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_NE3
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
