onsemi FDN P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 FDN340P
- RS Stock No.:
- 838-639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN340P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB187.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB201.03
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | THB7.515 | THB187.88 |
| 250 - 1225 | THB6.087 | THB152.18 |
| 1250 - 2475 | THB4.66 | THB116.50 |
| 2500 + | THB3.648 | THB91.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 838-639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN340P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | FDN | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.4mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series FDN | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.4mm | ||
Width 1.4mm | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The onsemi P-Channel MOSFET is designed for efficient switching applications with reduced on-state resistance and low gate charge. This device excels in power management and load switching for portable electronics.
Capable of handling 2 A current with a maximum rating of 20 V
Utilises Advanced technology to achieve low on-resistance at multiple gate voltages
Designed with high power handling in an SOT-23 package for improved thermal performance
Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, ensuring compliance with environmental standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN342P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX2301P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia NX2301P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN327N
- ROHM RTR020P02HZG Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RTR020P02HZGTL
- ROHM RTR020P02HZG Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
