STMicroelectronics MDmesh K5 N channel-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2 ST2H8N120K5AG

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB121,656.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB130,172.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 +THB121.656THB121,656.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
814-401
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ST2H8N120K5AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

MDmesh K5

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.55mm

Width

10.98mm

Length

10.98mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N channel power MOSFET delivers reliable High voltage performance for demanding applications, ensuring optimal efficiency and power density in automotive environments.

Automotive-grade, AEC-Q101 qualified for enhanced reliability

Ultra-low gate charge and very low figure of merit for reduced power loss

1200 V maximum drain-source voltage with a maximum drain current of 6 A

Designed with Advanced MDmesh K5 technology for superior thermal performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง