Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- RS Stock No.:
- 598-665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2460N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*
THB35,253.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,721.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB35.253 | THB35,253.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2460N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | N-Channel Vertical DMOS FET | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 90V | |
| Package Type | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.33mm | |
| Length | 5.08mm | |
| Width | 4.19 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type N-Channel Vertical DMOS FET | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 90V | ||
Package Type TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.33mm | ||
Length 5.08mm | ||
Width 4.19 mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Microchip N Channel enhancement-mode vertical MOSFET is a normally-off transistor that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination provides the power handling capabilities of bipolar transistors while offering the high input impedance and positive temperature coefficient typical of MOS devices. As with all MOS structures, the device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown, ensuring reliable performance even under demanding conditions.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN3145N8-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND250K1-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN3545N8-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2450K4-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2450N8-G