Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- RS Stock No.:
- 598-308
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2450N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB70,506.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB75,442.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB35.253 | THB70,506.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-308
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2450N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N-Channel Vertical DMOS FET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 90V | |
| Package Type | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 5.33mm | |
| Length | 5.08mm | |
| Width | 4.19 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N-Channel Vertical DMOS FET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 90V | ||
Package Type TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 5.33mm | ||
Length 5.08mm | ||
Width 4.19 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor utilizes a vertical double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) structure along with a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination ensures the device is free from secondary breakdown and operates with a low power drive requirement, making it efficient and reliable for various applications.
Ease of paralleling
Low power drive requirement
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN3145N8-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN3545N8-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2450K4-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2450N8-G
- Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN3765K4-G