ROHM N-Channel BST N channel-Channel Power Module, 91 A, 750 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST91T1P4K01-VC
- RS Stock No.:
- 792-190
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BST91T1P4K01-VC
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB6,442.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,893.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB6,442.56 |
| 5 + | THB6,249.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-190
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BST91T1P4K01-VC
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Power Module | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 91A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Series | BST | |
| Package Type | Corrugated Cardboard | |
| Mount Type | Heatsink | |
| Pin Count | 20 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 19mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 385W | |
| Transistor Configuration | N-Channel | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 38mm | |
| Length | 31.3mm | |
| Automotive Standard | AQG 324 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Power Module | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 91A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Series BST | ||
Package Type Corrugated Cardboard | ||
Mount Type Heatsink | ||
Pin Count 20 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 19mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 385W | ||
Transistor Configuration N-Channel | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 38mm | ||
Length 31.3mm | ||
Automotive Standard AQG 324 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
The ROHM Automotive Grade Sic Power Module delivers efficient performance with high speed switching for Advanced power control applications. Its Compact construction supports easy integration in space constrained systems while ensuring reduced energy loss and reliable operation in demanding environments.
High speed switching enables Rapid response
Low switching losses improve efficiency
Compact design supports space saving integration
Suitable for inverter applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N-Channel BST N channel-Channel Power Module 1200 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard
- ROHM Quad BST N channel-Channel Power Module 750 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST91B1P4K01-VC
- ROHM Quad BST N channel-Channel Power Module 1200 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST70B2P4K01-VC
- ROHM Dual BST N channel-Channel Power Module 3.9 V Enhancement, 12-Pin Power DIP Module BST400D12P4A101
- Starpower GD50PJX65L3S 91 A 650 V
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R015M2HXKSA1
