Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 359 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4600DP

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB193.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB206.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB193.08
10 - 49THB119.81
50 - 99THB92.58
100 +THB62.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-137
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiRS4600DP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

359A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00115Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

60V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6mm

Height

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, designed for ultra-low loss switching in AI power server applications and high-current DC/DC converters. It features industry-leading on-resistance of 1.2mΩ maximum at 10V gate drive to maximize efficiency in synchronous rectification topologies.

334A continuous drain current at TC=25°C

Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for optimal switching efficiency

100% Rg and UIS tested for reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง