Vishay SQJQ143EL P-Channel MOSFET, -192 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ143EL-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 735-117
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB152.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB163.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB152.98 |
| 10 - 49 | THB95.05 |
| 50 - 99 | THB73.27 |
| 100 + | THB49.51 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-117
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJQ143EL | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0059Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 241nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 283W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 8mm | |
| Length | 7.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJQ143EL | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0059Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 241nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 283W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 8mm | ||
Length 7.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Power MOSFET designed for automotive applications, capable of operating under harsh conditions. Its robust construction ensures reliability in demanding scenarios, optimising performance with its Advanced design.
Low on-state resistance ensures reduced power loss
Optimised thermal performance prolongs operational life
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJQ144AE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ144AE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ144AE-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ181EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ161EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS8320LDC