ROHM RH7G04CBJFRA Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBJFRATCB

RS Stock No.:: 687-463
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RH7G04CBJFRATCB
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM RH7G04CBJFRA Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBJFRATCB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB67.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB72.578

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB33.915	THB67.83
20 - 48	THB29.95	THB59.90
50 - 198	THB26.735	THB53.47
200 - 998	THB21.535	THB43.07
1000 +	THB21.04	THB42.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-463
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RH7G04CBJFRATCB
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	Type P
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Package Type	DFN3333T8LSAB
	Series	RH7G04CBJFRA
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	5 V
	Maximum Power Dissipation Pd	62W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	3.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type Type P
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Package Type DFN3333T8LSAB
	Series RH7G04CBJFRA
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V
	Maximum Power Dissipation Pd 62W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 3.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - RH7G04CBJFRATCB

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET designed to deliver exceptional performance in demanding applications. This component is specifically engineered for high-efficiency switching, making it ideal for automotive, lighting, and other high-reliability systems. With its robust thermal characteristics, including a maximum power dissipation of 62W and an impressive ±40A continuous drain current, the RH7G04CBJFRA ensures reliable operation under various conditions. Furthermore, this MOSFET integrates advanced features such as avalanche testing and AEC-Q101 qualification, guaranteeing safety and durability in critical environments.

Features a low on-state resistance of 17.7mΩ for improved efficiency

Delivers a maximum pulsed drain current of ±80A, enabling high-performance applications

Utilises wettable flanks for enhanced solder joint reliability

Offers robust thermal resistance to maintain performance under heavy loads

Operates effectively across a wide temperature range of -55 to +175°C

Includes a 100% avalanche test specification for increased safety

Employed in a variety of applications including ADAS and automotive lighting

Comes with detailed packaging specifications for user-friendly integration

ROHM RH7G04CBJFRA Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBJFRATCB

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง