ROHM RV4 Type P-Channel Single MOSFETs, 6 A, -20 V Enhancement, 8-Pin DFN1616-6W RV4C060ZPHZGTCR1
- RS Stock No.:
- 646-539
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในเทปขนาด 10)*
THB135.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB145.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB13.565 | THB135.65 |
| 100 - 240 | THB11.931 | THB119.31 |
| 250 - 990 | THB10.743 | THB107.43 |
| 1000 - 4990 | THB8.713 | THB87.13 |
| 5000 + | THB8.466 | THB84.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-539
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | DFN1616-6W | |
| Series | RV4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.7mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 1.7mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type DFN1616-6W | ||
Series RV4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.7mm | ||
Height 0.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 1.7mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 20 volt 6 ampere small signal metal oxide semiconductor field effect transistor is one hundred percent unclamped inductive switching tested with wet table flank for automated optical inspection and one hundred thirty micrometer electrode part guarantee.
Low on resistance
Small high power package
Low voltage drive(1.5V)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RH7G04CBJFRA Type P-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBJFRATCB
- ROHM RH7G04BBJFRAT Type P-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04BBJFRATCB
- Vishay SQ2351CES Type P-Channel Single MOSFETs -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2351CES-T1_GE3
- ROHM HT8MB5 Type N 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MB5TB1
- ROHM RQ3L270 Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8AG RQ3L270BJFRATCB
- Vishay SQS201CENW Type P-Channel Single MOSFETs -100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS201CENW-T1_GE3
- Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4411DP-T1-GE3
- Vishay SQ2351CES Type P-Channel Single MOSFETs -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23