ROHM RD3L08DBKHRB Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3L08DBKHRBTL

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB80.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB86.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 18THB40.35THB80.70
20 - 48THB35.645THB71.29
50 - 198THB31.935THB63.87
200 - 998THB25.745THB51.49
1000 +THB25.25THB50.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
687-465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RD3L08DBKHRBTL
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252 (TL)

Series

RD3L08DBKHRB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

76W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Height

2.3mm

Length

10.50mm

Width

6.8 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance in demanding applications, offering reliable switching capabilities with low on-resistance and a robust breakdown voltage. Designed to handle up to 80A of continuous drain current and with a maximum drain-source voltage of 60V, this component ensures efficiency and durability. It is ideal for automotive electronics, lighting, and other power management systems, featuring Pb-free plating and is AEC-Q101 qualified, making it compliant with the latest industry standards. This MOSFET provides a combination of exceptional thermal performance and reliability, making it a suitable choice for engineers seeking to optimise their circuit designs.

Low on resistance of 7.5mΩ maximises power efficiency

AEC Q101 qualification ensures high reliability in automotive applications

Passes 100% avalanche testing for enhanced durability

Capable of handling continuous drain current up to 80A

Maximum drain-source voltage rating of 60V provides substantial overhead

Pb free plating adheres to RoHS compliance, promoting environmental responsibility

Versatile packaging ensures compatibility across various application designs

Ideal for use in ADAS, info systems, and body control applications

Features low gate charge characteristics for faster switching times

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง