Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-201
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR870BDP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB86.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB92.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB86.24 |
| 10 - 24 | THB83.67 |
| 25 - 99 | THB81.73 |
| 100 - 499 | THB70.15 |
| 500 + | THB65.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-201
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR870BDP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SiR870BDP | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0061Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 0.61mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 81A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SiR870BDP | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0061Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Height 0.61mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and optimized thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR870BDP-T1-RE3
- Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-UE3
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-UE3
- Vishay SIRA12DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA12DDP-T1-GE3