Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs, 45.3 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 653-101
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS178LDN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB48,801.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52,218.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB16.267 | THB48,801.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-101
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS178LDN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 70V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SISS178LDN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0135Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 70V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SISS178LDN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0135Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel Power MOSFET rated for 70 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for AI server power solutions, DC/DC converters, and load switching.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-UE3
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3
- Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK