Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs, -48.3 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4411DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 653-192
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4411DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB68,106.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB72,873.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB22.702 | THB68,106.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-192
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4411DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -48.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | SIR4411DP | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.011Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.25 mm | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 0.61mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -48.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series SIR4411DP | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.011Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.25 mm | ||
Length 5.15mm | ||
Height 0.61mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel Power MOSFET rated for 40 V drain-source voltage. It features low RDS(on) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power management. Packaged in a Compact PowerPAK SO-8, it's Ideal for DC/DC converters, load switching, and battery management in space-constrained designs.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS201CENW Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS201CENW Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS201CENW-T1_GE3
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK