Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs, 680 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

RS Stock No.:: 653-096
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRS4300DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs, 680 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB144.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB154.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,984 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน	ต่อม้วน
1 - 9	THB144.17
10 - 24	THB139.66
25 - 99	THB137.09
100 - 499	THB116.50
500 +	THB109.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 653-096
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRS4300DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	680A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SIRS4300DP
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00040Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	84nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	5.10mm
	Length	6.10mm
	Height	0.95mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 680A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SIRS4300DP
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00040Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 5.10mm
	Length 6.10mm
	Height 0.95mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIRS4300DP-T1-RE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIRS4300DP Series Single MOSFETs, 30V Maximum Drain Source Voltage, 680A Maximum Continuous Drain Current - SIRS4300DP-T1-RE3

This single MOSFETs device is an N-channel enhancement semiconductor intended for high-current switching and power-conversion roles in industrial electronics. It is supplied in an 8-pin surface-mount PowerPAK package and is suited to demanding thermal and electrical environments where compact, low-loss switching is required.

Features and Benefits:

• 30V drain rating enables low-voltage power-stage designs • 680A continuous drain current supports heavy load switching • 0.00040Ω Rds(on) reduces conduction losses for efficiency • 84nC typical gate charge allows Faster gate transitions • 278W power dissipation manages high energy throughput • Operates to 150°C for elevated temperature applications

Applications

• Suitable for high-current DC-DC converters in automation systems • Ideal for power stages in motor drive controllers • Used for synchronous rectification in power-supply modules • Can be used for load switching in industrial power distribution • Used with parallel arrays for data-centre power racks

What gate-drive margin is acceptable for reliable switching?

The device tolerates gate voltages up to 20V

design gate drivers to operate within this limit and to achieve the typical 84nC charge for intended switching speeds.

How should thermal management be approached on a PCB?

Given the 278W dissipation capability, use large copper areas, thermal vias and direct heatsinking to the PowerPAK exposed pad to keep junction temperatures within limits.

Can it be paralleled to increase current capacity?

Paralleling is feasible provided matching Rds(on) and proper current-sharing measures are implemented, along with careful gate-drive timing to avoid imbalance.

What environmental temperature range can it tolerate during service?

The component is specified for operation down to -55°C and up to 150°C for junction or case conditions as defined in system thermal design.

What package considerations affect layout density?

The 8-pin PowerPAK surface-mount format permits Compact placement but requires attention to copper heatsinking and trace width for high-current paths.