Vishay SIRS5702DP Type N-Channel Single MOSFETs, 119 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS5702DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 653-130
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB265,293.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB283,863.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB88.431 | THB265,293.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-130
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 119A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIRS5702DP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0072Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 6.10mm | |
| Width | 5.10 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 119A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIRS5702DP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0072Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.95mm | ||
Length 6.10mm | ||
Width 5.10 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIRS5702DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS5700DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS5700DP-T1-RE3
- Vishay SIRS5700DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS4300DP-T1-RE3
- Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3