Vishay SQ3419CEV Type P-Channel Single MOSFETs, 6.9 A, -40 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 SQ3419CEV-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 653-161
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3419CEV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB32,325.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,587.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB10.775 | THB32,325.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-161
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3419CEV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SQ3419CEV | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.092Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.10mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 2.98 mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SQ3419CEV | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.092Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.10mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 2.98 mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive-grade P-channel MOSFET designed for compact, low-voltage switching applications. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates at +175 °C, making it suitable for harsh automotive environments. Packaged in a TSOP-6 format, it leverages Vishays TrenchFET technology to deliver low RDS(on) and efficient thermal performance in space-constrained designs.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ3419CEV Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- Vishay SQ3419CEV Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK
- Vishay SQ3419CEV Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SQ3427CEV-T1_GE3
- Vishay SQ2361CEES Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ2361CEES Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361CEES-T1_GE3
- Vishay SQ2361CES Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ2361CES Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361CES-T1_GE3
- Vishay SQ2389CES Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
