Microchip VP0808 Type P-Channel Single MOSFETs, 280 mA, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP0808L-G

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB264.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB282.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB52.874THB264.37
50 - 245THB46.538THB232.69
250 - 495THB41.784THB208.92
500 +THB33.072THB165.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
649-535
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
VP0808L-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

Type P

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

280mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-92

Series

VP0808

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

0.080 mm

Length

0.50mm

Automotive Standard

No

The Microchip Enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง