Microchip VP0808 Type P-Channel Single MOSFETs, 280 mA, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP0808L-G
- RS Stock No.:
- 649-535
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VP0808L-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB264.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB282.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB52.874 | THB264.37 |
| 50 - 245 | THB46.538 | THB232.69 |
| 250 - 495 | THB41.784 | THB208.92 |
| 500 + | THB33.072 | THB165.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 649-535
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VP0808L-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | VP0808 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 0.080 mm | |
| Length | 0.50mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series VP0808 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 0.080 mm | ||
Length 0.50mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1
- ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1
- ROHM SH8MD5HT Type P 80 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8MD5HTB1
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 ZVP2106ASTZ
- ROHM RX3N07BBH Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-220AB RX3N07BBHC16
- ROHM RJ1N04BBHT Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHTL1
- ROHM HT8MD5HT Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSMT-8 HT8MD5HTB1
