Microchip VP3203 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- RS Stock No.:
- 598-595
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VP3203N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB95,686.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB102,384.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB47.843 | THB95,686.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-595
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VP3203N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | N-Channel Vertical DMOS FET | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 90V | |
| Package Type | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Series | VP3203 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.33mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 4.19 mm | |
| Length | 5.08mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type N-Channel Vertical DMOS FET | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 90V | ||
Package Type TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Series VP3203 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.33mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 4.19 mm | ||
Length 5.08mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip P Channel enhancement-mode vertical MOSFET is a low-threshold, normally-off transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s proven silicon-gate manufacturing process. This combination delivers the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. As with all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown, ensuring robust and reliable performance.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
High input impedance and high gain
Excellent thermal stability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip VN0606 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN1206 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN2210 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VP0550 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN0550 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN2450 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN0109 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN2460 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3