Toshiba Type P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOP TPC8117(TE12L,Q)
- RS Stock No.:
- 582-470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPC8117(TE12L,Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB274.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB293.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 385 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB54.826 | THB274.13 |
| 25 - 120 | THB53.456 | THB267.28 |
| 125 - 245 | THB52.122 | THB260.61 |
| 250 - 495 | THB50.816 | THB254.08 |
| 500 + | THB49.544 | THB247.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 582-470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPC8117(TE12L,Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 6mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Length 6mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET P-Channel, TPC Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 30 V EnhancementLQ(S
- Toshiba TPC Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba TPC Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP TPC8125
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ8S06M3L
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L
