Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R040M2HXKSA1
- RS Stock No.:
- 351-930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB556.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB595.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB556.17 |
| 10 - 99 | THB500.75 |
| 100 + | THB461.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | IMZC120 | |
| Package Type | PG-TO-247-4-U07 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 218W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series IMZC120 | ||
Package Type PG-TO-247-4-U07 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 218W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET discrete with high creepage package builds on the strengths of Generation 1 technology with significant improvement that provides an advanced solution for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design and reliable system. It enhanced better performance in both hard-switching operation and soft-switching topologies for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable
Easy paralleling
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1