Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R034M2HXKSA1

RS Stock No.:: 351-928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMZC120R034M2HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R034M2HXKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB595.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB636.93

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB595.26
10 - 99	THB535.88
100 +	THB493.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 351-928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMZC120R034M2HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	PG-TO-247-4-U07
	Series	IMZC120
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	89mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Maximum Power Dissipation Pd	244W
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	23.1mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type PG-TO-247-4-U07
	Series IMZC120
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 89mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Maximum Power Dissipation Pd 244W
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 23.1mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Automotive Standard No

Datasheet - IMZC120R034M2HXKSA1

Infineon IMZC120 Series MOSFET, 244W Maximum Power Dissipation, 1200V Maximum Drain Source Voltage - IMZC120R034M2HXKSA1

This MOSFET is a high-voltage switching transistor intended for power conversion and control in demanding industrial environments. It is an enhancement-mode N-channel device designed to handle elevated drain-source voltages and substantial continuous current, making it suitable for roles where robust high-voltage switching and thermal endurance are required.

Features and Benefits:

• 1200V Vds enables high-voltage system utilisation
• 55A continuous drain current supports heavy-load switching
• 89mΩ Rds(on) lowers conduction losses during operation
• 244W power dissipation allows sustained thermal throughput
• 45nC typical gate charge improves switching speed control

Applications

• Suitable for high-voltage inverter stages in industrial drives
• Ideal for power supplies requiring high-voltage switching
• Used with large motor controllers demanding high current handling
• Can be used for hard-switching topologies in converters

What package and mounting style does it use for assembly?

It is supplied in a PG-TO-247-4-U07 package configured for through-hole mounting to facilitate secure board attachment and robust thermal connection to heatsinks.

What temperature range can it tolerate during operation?

It operates across a wide span from -55°C up to 200°C, permitting use in extreme thermal conditions and elevated junction temperatures.

How many pins are present and what does this imply electrically?

The device has four pins, accommodating gate, drain and dual-source or tab arrangements typical of power MOSFET packages for flexible circuit integration.

Which industry standard tests apply to its qualification?

It conforms to JEDEC47/20/22 standards, indicating compliance with established thermal and mechanical reliability test protocols.