Infineon IPT0 Type N-Channel MOSFET, 243 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT023N10NM5LF2ATMA1
- RS Stock No.:
- 351-908
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB368.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB393.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB184.07 | THB368.14 |
| 20 - 198 | THB165.76 | THB331.52 |
| 200 - 998 | THB152.895 | THB305.79 |
| 1000 - 1998 | THB141.765 | THB283.53 |
| 2000 + | THB127.165 | THB254.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-908
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 243A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IPT0 | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 144nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.58mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Width | 10.1 mm | |
| Height | 2.40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 243A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IPT0 | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 144nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.58mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Width 10.1 mm | ||
Height 2.40mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2 technology enables the best-in-class trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the TOLL package, IPT023N10NM5LF2 is targeted for inrush current protection such as hot-swap, e-fuse, and battery protection in battery management systems (BMS).
Wide safe operating area (SOA)
Low RDS(on)
Lower IGSS compared to Linear FET
Optimized transfer characteristic
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT0 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN06S5N008ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R025D2ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R022S7XTMA1