Infineon IPT0 Type N-Channel MOSFET, 321 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N10NM5LF2ATMA1

RS Stock No.:: 351-906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT017N10NM5LF2ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT0 Type N-Channel MOSFET, 321 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N10NM5LF2ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB501.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB536.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,990 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB250.87	THB501.74
20 - 198	THB225.88	THB451.76
200 +	THB208.315	THB416.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 351-906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT017N10NM5LF2ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	321A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IPT0
	Package Type	PG-HSOF-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	165nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.30mm
	Standards/Approvals	Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC
	Length	10.58mm
	Width	10.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 321A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IPT0
	Package Type PG-HSOF-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 165nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.30mm
	Standards/Approvals Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC
	Length 10.58mm
	Width 10.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT017N10NM5LF2ATMA1

The Infineon Infineon’s best-in-class OptiMOS 5 Linear FET 2 100 V in TO-Leadless (TOLL), offering the industry’s lowest RDS(on) and wide SOA at 25˚C. The combination of the OptiMOS 5 Linear FET 2 technology and the TOLL package, It is designed to provide highest power density, for inrush current protection applications such as hot-swap, e-fuse, and within battery protection in Battery management systems (BMS).

Wide safe operating area (SOA)

Low RDS(on)

Lower IGSS compared to Linear FET

Optimized transfer characteristic

Infineon IPT0 Type N-Channel MOSFET, 321 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N10NM5LF2ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง