Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor, 136 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP069N20NM6AKSA1

RS Stock No.:: 349-410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP069N20NM6AKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor, 136 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP069N20NM6AKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB334.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB357.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB334.00
10 - 99	THB300.84
100 - 499	THB277.09
500 - 999	THB257.30
1000 +	THB230.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP069N20NM6AKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	136A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	IPP
	Package Type	PG-TO220-3
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 136A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series IPP
	Package Type PG-TO220-3
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP069N20NM6AKSA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed to deliver high efficiency in power applications. Key features include very low on-resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses, and an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) for superior switching performance. It also boasts very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing efficiency and reducing switching losses. The device is equipped with a high avalanche energy rating, making it suitable for demanding conditions, and can operate at a high temperature of 175°C, ensuring reliability even in harsh environments.

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor, 136 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP069N20NM6AKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง