Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R234M2HXTMA1

RS Stock No.:: 349-107
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R234M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R234M2HXTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB376.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB402.908

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB188.275	THB376.55
20 - 198	THB169.47	THB338.94
200 - 998	THB156.36	THB312.72
1000 - 1998	THB144.98	THB289.96
2000 +	THB129.885	THB259.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-107
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R234M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	IMB
	Package Type	PG-TO263-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	622mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	80W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Width	10.2 mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22, RoHS
	Height	4.5mm
	Length	15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series IMB
	Package Type PG-TO263-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 622mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 80W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Width 10.2 mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS
	Height 4.5mm
	Length 15mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IMBG120R234M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.

Robust body diode for hard commutation

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Better energy efficiency

Cooling optimization

Higher power density

New robustness features

Highly reliable

Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R234M2HXTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง