Infineon IMB N-Channel MOSFET, 189 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R008M2HXTMA1

RS Stock No.:: 349-092
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R008M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMB N-Channel MOSFET, 189 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R008M2HXTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB2,229.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,385.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

685 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB2,229.61
10 - 99	THB2,006.45
100 +	THB1,850.59

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-092
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R008M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	189A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Series	IMB
	Package Type	PG-TO263-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	800W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	195nC
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15mm
	Width	10.2mm
	Height	4.5mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 189A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Series IMB
	Package Type PG-TO263-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 800W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15mm
	Width 10.2mm
	Height 4.5mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMBG120R008M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IMB Series MOSFET, 1200V Drain Source Voltage, 189A Continuous Drain Current - IMBG120R008M2HXTMA1

This MOSFET is a high-voltage, N-channel enhancement device designed for demanding power-switching environments. It is intended for surface-mount applications where substantial current handling and elevated temperature tolerance are required. The component meets recognised industry package conventions and is suitable for use in industrial power stages that require robust conduction and switching capability.

Features and Benefits:

• 800W power dissipation enables sustained high-power operation
• 1200V drain-source rating supports high-voltage topologies
• 189A continuous drain current permits heavy-load conduction
• 21mΩ Rds(on) delivers low conduction losses under load
• 195nC typical gate charge suited to high-energy switching
• 7-pin PG-TO263-7 package simplifies high-power surface mounting

Applications

• Suitable for industrial inverter and converter stages
• Ideal for high-voltage switch-mode power supplies
• Used with motor-drive power modules requiring high current
• Can be used for renewable-energy power electronics
• Suitable for fast-switching, high-energy switching circuits

What thermal range can it operate across in harsh conditions?

It functions from -55°C up to 200°C, enabling deployment in extreme thermal environments.

How does the package type affect assembly on production boards?

The PG-TO263-7 surface-mount format provides a compact, low-profile solution optimised for automated soldering and heat-sink attachment.

What is the gate voltage endurance for control interfaces?

The device permits gate voltages up to 25V, allowing compatibility with common gate-driver outputs.

Is this device a channel enhancement or depletion type?

It is an N-channel enhancement-mode transistor suitable for conventional gate-driven switching topologies.