Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 107 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R017M2HXTMA1
- RS Stock No.:
- 349-095
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG120R017M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,031.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,103.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,031.18 |
| 10 - 99 | THB928.26 |
| 100 + | THB856.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-095
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG120R017M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 107A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | IMB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 470W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Length | 15mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Width | 10.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 107A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series IMB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 470W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Length 15mm | ||
Height 4.5mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Width 10.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.
Robust body diode for hard commutation
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R022M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R012M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R234M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R078M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R053M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R040M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R116M2HXTMA1
- Infineon IMB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R008M2HXTMA1