Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 21.2 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R116M2HXTMA1

RS Stock No.:: 349-104
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R116M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 21.2 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R116M2HXTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB532.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB569.678

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB266.205	THB532.41
20 - 198	THB239.735	THB479.47
200 +	THB220.93	THB441.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-104
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMBG120R116M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	21.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	PG-TO263-7
	Series	IMB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	307mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	123W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.4nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15mm
	Height	4.5mm
	Width	10.2 mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 21.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type PG-TO263-7
	Series IMB
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 307mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 123W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.4nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15mm
	Height 4.5mm
	Width 10.2 mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMBG120R116M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.

Robust body diode for hard commutation

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Better energy efficiency

Cooling optimization

Higher power density

New robustness features

Highly reliable

Infineon IMB Type N-Channel MOSFET, 21.2 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R116M2HXTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง