Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 96 A, 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R060M2HXTMA1
- RS Stock No.:
- 349-053
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB315.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB337.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB315.19 |
| 10 - 99 | THB283.53 |
| 100 - 499 | THB261.75 |
| 500 - 999 | THB242.46 |
| 1000 + | THB217.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-053
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 96A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-HDSOP-16 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 96A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-HDSOP-16 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, providing unparalleled performance, superior reliability, and excellent ease of use. Designed to meet the demands of modern power systems, this MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs. It is the ideal solution for addressing the ever-growing needs of power systems and markets, offering both high performance and energy efficiency for a wide range of applications.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R050M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R015M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R020M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R040M2HXTMA1
- Infineon IGLT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon IGLT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon IGLT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon IGLT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R110D2ATMA1