Infineon IMLT N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R015M2HXTMA1

RS Stock No.:: 349-047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMLT65R015M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMLT N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R015M2HXTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB948.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,014.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB948.05
10 - 99	THB853.05
100 +	THB786.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMLT65R015M2HXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	142A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	IMLT
	Package Type	PG-HDSOP-16
	Mount Type	Surface
	Pin Count	16
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	148nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	23V
	Maximum Power Dissipation Pd	600W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 142A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series IMLT
	Package Type PG-HDSOP-16
	Mount Type Surface
	Pin Count 16
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 148nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 23V
	Maximum Power Dissipation Pd 600W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMLT65R015M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IMLT Series MOSFET, 650V Drain-Source Voltage, 142A Continuous Drain Current - IMLT65R015M2HXTMA1

This MOSFET is a high-voltage N‑channel enhancement device designed for demanding power‑switching roles. It operates across a wide temperature range and is supplied in a Compact surface‑mount package suitable for dense electronic assemblies. The device delivers substantial power‑handling capability while conforming to RoHS environmental limits.

Features and Benefits:

• 18mΩ on‑resistance reduces conduction losses
• 600W power dissipation supports heavy‑load switching
• 142A continuous drain current enables high‑current applications
• 650V drain‑source rating allows high‑voltage operation
• 23V gate‑source limit provides gate overvoltage protection

Applications

• Suitable for high‑voltage power converters
• Ideal for industrial motor drive stages
• Used for DC‑DC and PFC circuits
• Can be used for renewable‑energy inverters
• Suitable for high‑current switching modules

What package type does it use for PCB assembly?

It is supplied in a PG‑HDSOP‑16 surface‑mount package suitable for automated placement.

What thermal environment can it withstand?

It operates between -55°C and 175°C for broad‑temperature deployments.

How does its gate charge affect switching performance?

The typical gate charge is 148nC, which influences drive requirements and switching losses during transitions.

Is it suitable for automotive qualification?

It is not specified as automotive‑standard compliant but meets RoHS environmental restrictions.