Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 68 A, 400 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT40R025M2HXTMA1
- RS Stock No.:
- 762-909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMLT40R025M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB346.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB371.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB346.89 |
| 10 - 49 | THB281.02 |
| 50 - 99 | THB215.16 |
| 100 + | THB172.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMLT40R025M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Package Type | PG-HDSOP-16 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 25.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 4.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 2.35mm | |
| Height | 15.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Package Type PG-HDSOP-16 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 25.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 4.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 2.35mm | ||
Height 15.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.
100% avalanche tested
Recommended gate driving voltage
Qualified for industrial applications
Used for energy storage, UPS and battery formation
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R075M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT40R036M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT40R015M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT40R045M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R015M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R020M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R040M2HXTMA1