Infineon ISA Type P, Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 ISA220280C03LMDSXTMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
348-904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISA220280C03LMDSXTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TO252-3

Series

ISA

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Length

6.2mm

Standards/Approvals

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Width

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.

100% avalanche tested

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249‑2‑21

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง