Infineon ISA Type P, Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 ISA220280C03LMDSXTMA1
- RS Stock No.:
- 348-904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISA220280C03LMDSXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB371.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB397.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | THB18.556 | THB371.12 |
| 200 - 480 | THB17.64 | THB352.80 |
| 500 - 980 | THB16.329 | THB326.58 |
| 1000 - 1980 | THB15.042 | THB300.84 |
| 2000 + | THB14.473 | THB289.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISA220280C03LMDSXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | ISA | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 6.2mm | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series ISA | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.75mm | ||
Length 6.2mm | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.
100% avalanche tested
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249‑2‑21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISA Type N 10.2 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA150233C03LMDSXTMA
- Infineon ISA Type N 7.9 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA250300C04LMDSXTMA1
- Infineon ISA Type N 9.6 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA170230C04LMDSXTMA1
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3