Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Type N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB487,170.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB521,272.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB243.585THB487,170.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
284-899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPT65R040CFD7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-HSOF-8

Series

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

347W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

97nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC

The Infineon MOSFET is a cutting edge MOSFET designed for high efficiency switching applications. This product exemplifies superior thermal performance, making it Ideal for use in demanding environments such as server and telecom sectors. With its innovative CoolMOS CFD7 technology, it promises outstanding reliability and efficiency, particularly in resonant switching topologies, including LLC and phase shift full bridge applications. This MOSFET advances upon its predecessor with improved switching capabilities and a low on state resistance, optimising power density and enhancing the overall effectiveness of your designs. Built to meet the rigorous standards of industrial applications, the device provides excellent hard commutation ruggedness while maintaining exceptional performance across a broad temperature range.

Ultra fast body diode minimises switching losses

Best in class RDS(on) for efficiency improvements

Robust against hard commutation for reliability

Handles increased bus voltage for safety

Optimised for high power density in Compact designs

Excels in light load conditions for industrial SMPS applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง