Infineon 600V CoolMOS N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60R010S7XTMA1

RS Stock No.:: 284-892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPQC60R010S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60R010S7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB838.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB897.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB838.46
10 - 99	THB754.54
100 +	THB695.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPQC60R010S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS
	Package Type	PG-HDSOP-22
	Mount Type	Surface
	Pin Count	22
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	694W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	820mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	318nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS
	Package Type PG-HDSOP-22
	Mount Type Surface
	Pin Count 22
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 694W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 820mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 318nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard No

Datasheet - IPQC60R010S7XTMA1

The Infineon MOSFET with cutting edge 600V CoolMOS SJ S7 Power Device represents a remarkable Leap in MOSFET technology, specifically tailored for low frequency switching applications. Engineered with the utmost precision, this device offers unparalleled energy efficiency, making it an Ideal choice for solid state relays, circuit breakers, and various power management systems. The Advanced design, showcasing a Compact footprint and superior heat dissipation capabilities, ensures optimal performance under demanding conditions. Recognised for its distinct advantages over traditional electromechanical components, this device integrates seamless switching with exceptional reliability. It is fully qualified according to JEDEC standards for industrial applications, providing reassurance of its robustness and dependability in a wide range of environments.

Optimised for price and performance

High Pulse current capability for robustness

Kelvin source pin enhances switching performance

Supports applications facing shock and vibration

Internal body diode minimises conduction losses

Accommodates TOP side cooling for better thermal performance

Infineon 600V CoolMOS N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60R010S7XTMA1

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง