Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IQE022N06LM5CGSCATMA1

RS Stock No.:: 284-752
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE022N06LM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IQE022N06LM5CGSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB460.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB492.915

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB92.134	THB460.67
50 - 95	THB87.482	THB437.41
100 - 495	THB81.05	THB405.25
500 - 995	THB74.618	THB373.09
1000 +	THB71.846	THB359.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-752
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE022N06LM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PG-TSON-8
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PG-TSON-8
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE022N06LM5CGSCATMA1

The Infineon MOSFET is a power transistor is engineered for high performance in switch mode power supplies, ensuring reliability across demanding applications. Designed within the OptiMOS 5 series, it delivers exceptional efficiency and low on resistance, making it an Ideal choice for synchronous rectification. With its Pb free and RoHS compliant construction, the product not only meets the latest environmental standards but also assures robust performance under varying conditions. This transistor features Advanced thermal management and is avalanche rated, ensuring safer operation and durability in critical settings. Its logic level drive capability allows for seamless integration into a wide range of electronic systems, further exemplifying its versatility and performance stability.

Optimised for high efficiency power conversion

Low on resistance for enhanced performance

Pb free design for environmental compliance

Avalanche tested for increased reliability

Logic level drive simplifies low voltage interfacing

Thermal resistance for efficient heat management

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 IQE022N06LM5CGSCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง