Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC130N20NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC130N20NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC130N20NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB510.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB545.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB255.075	THB510.15
20 - 198	THB229.59	THB459.18
200 +	THB211.78	THB423.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC130N20NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	88A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	PG-TSON-8
	Series	ISC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	242W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 88A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type PG-TSON-8
	Series ISC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 242W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC130N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon ISC Series MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 88A Continuous Drain Current - ISC130N20NM6ATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel switch designed for surface-mount power applications. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is intended for use where robust voltage handling and efficient conduction are required. The device is supplied in a compact PG-TSON-8 package for board-level mounting and complies with industry manufacturing standards.

Features and Benefits:

• 200V maximum drain voltage enables high-voltage switching
• 88A continuous drain current supports heavy load currents
• 13 mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 242W power dissipation manages substantial thermal load
• 39 nC typical gate charge allows controlled switching energy
• ±20V gate tolerance protects gate from overdrive

Applications

• Suitable for high-power DC-DC converters in industrial systems
• Ideal for motor-drive power stages requiring high current
• Used with battery-management systems in energy storage hardware
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Suitable for fast-switching inverter circuits in power electronics

What mounting method is required for board assembly?

It is intended for surface-mount assembly using the PG-TSON-8 footprint.

How does it behave across temperature extremes?

It is specified to operate from -55 °C up to 175 °C, supporting thermal margin in harsh conditions.

What standards govern its material and handling?

Manufacture and handling adhere to JEDEC and J-STD-020 provisions and RoHS restrictions.

What gate-drive constraints should designers observe?

The gate must be driven within ±20V to avoid exceeding gate-source limits.